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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 12/2001

01.12.2001 | Physics of Semiconductor Devices

InAsSb/InAsSbP double-heterostructure lasers emitting in the 3–4 µm spectral range

verfasst von: T. N. Danilova, A. N. Imenkov, N. M. Kolchanova, Yu. P. Yakovlev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 12/2001

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Metadaten
Titel
InAsSb/InAsSbP double-heterostructure lasers emitting in the 3–4 µm spectral range
verfasst von
T. N. Danilova
A. N. Imenkov
N. M. Kolchanova
Yu. P. Yakovlev
Publikationsdatum
01.12.2001
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 12/2001
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1427979

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