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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10/2013

01.10.2013

Increase in open circuit voltage by the incorporation of band gap engineered FeS2 nanoparticle within MEHPPV solar cell

verfasst von: Animesh Layek, Somnath Middya, Partha Pratim Ray

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 10/2013

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Abstract

In this study we have synthesized and characterized FeS2 nanoparticles with larger optical band gap (3.19 eV) and high thermal stability by hydrothermal route with capping reagent PEG 400. This high quality FeS2 nanoparticle with higher band gap energy was applied as semiconducting acceptor in MEHPPV:FeS2 nanoparticle based hybrid solar cells to improve the open circuit voltage. Variations in the property of FeS2 have been done and confirmed by XRD, FE-SEM, TEM, FTIR, TGA, UV–VIS spectroscopy and Raman study. Two types of solar cells have been fabricated with structures: ITO/PEDOT:PSS/MEHPPV/Al and ITO/PEDOT:PSS/MEHPPV:FeS2/Al. The open circuit voltage has been increased from 0.64 to 0.72 V by compositing FeS2 nanoparticle within MEHPPV matrix.
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Metadaten
Titel
Increase in open circuit voltage by the incorporation of band gap engineered FeS2 nanoparticle within MEHPPV solar cell
verfasst von
Animesh Layek
Somnath Middya
Partha Pratim Ray
Publikationsdatum
01.10.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 10/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-013-1313-0

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