01.09.2012
Influence of loading holding time under quasistatic indentation on electrical properties and phase transformations of silicon
Erschienen in: Surface Engineering and Applied Electrochemistry | Ausgabe 5/2012
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by