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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2019

07.11.2018

Influence of selenium doping on structural, morphological and thermoelectric properties of nanocrystalline PbTe100−xSex thin films

verfasst von: L. Kungumadevi, R. Sathyamoorthy, G. Hema Chandra

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2019

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Abstract

Nanocrystalline PbTe100−xSex thin films are prepared using an integrated physical–chemical approach by evaporating chemically synthesized PbTe nanopowders on glass substrates. All the deposited films exhibiting the face centered cubic structure with the crystallite orientation along (200) direction. The crystallite size of the films is within the range 10–26 nm. XRD analysis indicated that the lattice constants of PbTe100−xSex thin films decreased with the increasing amount of Se. Raman spectra of these PbTe100−xSex thin films show a wavelength shift in the peak position as compared with PbTe due to the addition of Se in PbTe. Electrical resistivity study reveals that the samples are exhibiting semiconducting nature. The value of the Seebeck coefficient of PbTe100−xSex thin films with x = 0, 6, 10 and 15 is 788, 1101, 921 and 780 µV/K respectively which is high compared to the bulk (265 µV/K). Observed results imply that the thermoelectric properties of PbTe gets enhanced due to doping of Se.

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Metadaten
Titel
Influence of selenium doping on structural, morphological and thermoelectric properties of nanocrystalline PbTe100−xSex thin films
verfasst von
L. Kungumadevi
R. Sathyamoorthy
G. Hema Chandra
Publikationsdatum
07.11.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2019
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-0307-3

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