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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 1/2015

01.01.2015 | XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells

verfasst von: S. V. Khazanova, V. E. Degtyarev, N. V. Malekhonova, D. A. Pavlov, N. V. Baidus

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/2015

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Metadaten
Titel
Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells
verfasst von
S. V. Khazanova
V. E. Degtyarev
N. V. Malekhonova
D. A. Pavlov
N. V. Baidus
Publikationsdatum
01.01.2015
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615010133

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