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01.01.2015 | XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014 | Ausgabe 1/2015

Semiconductors 1/2015

Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 1/2015
Autoren:
S. V. Khazanova, V. E. Degtyarev, N. V. Malekhonova, D. A. Pavlov, N. V. Baidus

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