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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2023

01.08.2023

Investigation of Methods for Texturing Light-Emitting Diodes Based on AlGaAs/GaAs Heterostructures

verfasst von: A. V. Malevskaya, N. D. Il’inskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskiy, Yu. M. Zadiranov, P. V. Pokrovskiy, A. A. Blokhin, A. V. Andreeva

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2023

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Abstract

Investigations of methods for texturing the light-emitting surface of IR light-emitting diodes (LEDs) (wavelength 850 nm) based on AlGaAs/GaAs heterostructures with Bragg reflectors have been carried out. Developed were methods of liquid and plasma-chemical etching of solid solution for creating peaks (pyramids) of different form, 0.2–1.5 μm height. Estimation of the effect of texturing methods and also configuration of peaks on the light-emitting diode electroluminescence intensity has been performed. The increase of the electroluminescence intensity by 25% has been achieved.
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Metadaten
Titel
Investigation of Methods for Texturing Light-Emitting Diodes Based on AlGaAs/GaAs Heterostructures
verfasst von
A. V. Malevskaya
N. D. Il’inskaya
N. A. Kalyuzhnyy
D. A. Malevskiy
Yu. M. Zadiranov
P. V. Pokrovskiy
A. A. Blokhin
A. V. Andreeva
Publikationsdatum
01.08.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2023
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782623090117

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