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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2023

01.08.2023

Terahertz Emission from Silicon Carbide Nanostructures

verfasst von: N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2023

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Abstract

For the first time, electroluminescence detected in the middle and far infrared ranges from silicon carbide nanostructures on silicon, obtained in the framework of the Hall geometry. Silicon carbide on silicon was grown by the method of substitution of atoms on silicon. The electroluminescence from the edge channels of nanostructures is induced due to the longitudinal drain-source current. The electroluminescence spectra obtained in the terahertz frequency range, 3.4, 0.12 THz, arise due to the quantum Faraday effect. Within the framework of the proposed model, the longitudinal current induces a change in the number of magnetic flux quanta in the edge channels, which leads to the appearance of a generation current in the edge channel and, accordingly, to terahertz radiation.
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Metadaten
Titel
Terahertz Emission from Silicon Carbide Nanostructures
verfasst von
N. T. Bagraev
S. A. Kukushkin
A. V. Osipov
L. E. Klyachkin
A. M. Malyarenko
V. S. Khromov
Publikationsdatum
01.08.2023
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2023
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378262309004X

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