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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 7/2015

01.07.2015 | Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Investigation of the optical properties of GaAs with δ-Si doping grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures

verfasst von: D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, A. S. Bugaev, G. B. Galiev, E. A. Klimov, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 7/2015

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Metadaten
Titel
Investigation of the optical properties of GaAs with δ-Si doping grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures
verfasst von
D. V. Lavrukhin
A. E. Yachmenev
A. S. Bugaev
G. B. Galiev
E. A. Klimov
R. A. Khabibullin
D. S. Ponomarev
P. P. Maltsev
Publikationsdatum
01.07.2015
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 7/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615070179

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