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Erschienen in:
Co-existence of Multiferroic Memories in CoFe2O4/Bi3.4Sm0.6Ti3O12 Composite Structures Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

Large-Signal Analysis of III-V Nitride Based DD-Transit Time Device: A New Source for THz Power Generation

verfasst von : Moumita Mukherjee, D. N. Bose

Erschienen in: Physics of Semiconductor Devices

Verlag: Springer International Publishing

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Performance of GaN based Double Drift Avalanche Transit Time device is proposed in this paper, for the first time, for useful application in THz-imaging. The device is designed and analyzed by developing a generalized non-linear large-signal simulator that includes effects of elevated temperature, phonon-bottle-necking, scattering limited mobility-velocity and parasitic resistance. The study reveals that the proposed device is capable of generating a pulsed power ~ 0.4 W with an efficiency of 8 % at 1.4 THz under 50 % large signal modulation.

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Metadaten
Titel
Large-Signal Analysis of III-V Nitride Based DD-Transit Time Device: A New Source for THz Power Generation
verfasst von
Moumita Mukherjee
D. N. Bose
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Physics of Semiconductor Devices

Print ISBN: 978-3-319-03001-2

Electronic ISBN: 978-3-319-03002-9

Copyright-Jahr: 2014

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_26