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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 5/2015

01.05.2015

Thickness dependence of structural, optical and luminescence properties of BaTiO3 thin films prepared by RF magnetron sputtering

verfasst von: L. V. Maneeshya, V. S. Anitha, P. V. Thomas, K. Joy

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 5/2015

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Abstract

BaTiO3 thin films were deposited onto quartz substrates by RF magnetron sputtering. X-ray diffraction pattern showed the formation of BT thin films with a tetragonal structure with orientations along (101) plane. Average crystallite size increased from 12.52 to 14.87 nm as the film thickness increased from 207 to 554 nm. With the increase in film thickness, the structural disorder decreases and the crystalline quality of the films gradually improved. The film exhibited good adherence to the substrate and are crack free. X-ray photoelectron spectroscopy revealed the presence of barium, titanium and oxygen in BT film. An average transmittance of >80 % was observed for all the films. This high transmittance BT films in the visible region is suitable for various electro-optic applications. The transmittance spectra showed high UV-shielding properties. Optical band gap was found to decrease from 4.55 to 3.70 eV with increase of film thickness, whereas the refractive index was found to increase. The refractive index of the BT films can be tuned between 2.11 and 2.21 at 550 nm. The real and imaginary dielectric constants with increase in film thickness were investigated. The low dissipation factor of BT thin films makes it a promising material for frequency agile applications. The emission spectra of BT thin films consist of near band edge excitonic UV emission and defect related emission in the visible range. The PL emission bands in UV and visible region of BT thin films make them suitable for electro-optic devices and light emitters.

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Metadaten
Titel
Thickness dependence of structural, optical and luminescence properties of BaTiO3 thin films prepared by RF magnetron sputtering
verfasst von
L. V. Maneeshya
V. S. Anitha
P. V. Thomas
K. Joy
Publikationsdatum
01.05.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 5/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-2781-1

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