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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2015

01.11.2015

Effects of low melting point materials on sinterability and microwave dielectric properties of X2SiO4–CaTiO3 (X = Mg, Zn) for LTCC

verfasst von: Gang Dou, Mei Guo, Yuxia Li, Jinuan Lin

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2015

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Abstract

The effect of adding different low melting point compounds on the crystalline phases, microstructure and microwave dielectric properties of the X2SiO4–CaTiO3 (X = Mg, Zn) ceramics was compared. The 0.91Mg2SiO4–0.09CaTiO3 samples doped with 15.0–35.0 wt% ZB glass were unsintered at 950 °C for 3 h in air. The grains were denser, as the 0.91Mg2SiO4–0.09CaTiO3 samples were doped with 12.0 wt% BLB and the 0.95Zn2SiO4–0.05CaTiO3 samples were doped with 4.0 wt% LB or 7.0 wt% BLB at 950 °C for 3 h in air. Adding 2.0–6.0 wt% LB to the 0.95Zn2SiO4–0.05CaTiO3 ceramics, the sintering temperature was lowered to 950 °C, the relative density values of the ceramics were more than 90 %, and the Q × f values were more than 18,000 GHz (f = 7.1 GHz). However, the 0.91Mg2SiO4–0.09CaTiO3 ceramics doped with 4.0–8.0 wt% LB were not dense, and the Q × f values were lower than 6500 GHz (f = 7.1 GHz) at 950 °C for 3 h. For the 0.95Zn2SiO4–0.05CaTiO3 ceramics doped with 6.5–8.5 wt% BLB and the 0.91Mg2SiO4–0.09CaTiO3 ceramics doped with 10.0–14.0 wt% BLB, the relative density of the two kinds of the ceramics can reach to 94 %, and the maximum Q × f values of the ceramics were both more than 11,000 GHz (f = 6.1 GHz).

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Metadaten
Titel
Effects of low melting point materials on sinterability and microwave dielectric properties of X2SiO4–CaTiO3 (X = Mg, Zn) for LTCC
verfasst von
Gang Dou
Mei Guo
Yuxia Li
Jinuan Lin
Publikationsdatum
01.11.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2015
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-3611-1

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