Skip to main content
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2019

16.05.2019

Frequency, voltage and illumination interaction with the electrical characteristics of the CdZnO interlayered Schottky structure

verfasst von: İlke Taşçıoğlu, S. O. Tan, Ş. Altındal

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2019

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

cadmium–zincoxide (CdZnO) interlayered metal–semiconductor structure was examined by capacitance and conductance versus voltage data in dark and under 250 W illumination at 100 kHz, 500 kHz and 1 MHz frequencies, respectively. The effectuality of the frequency, applied voltage, illumination, and series resistance on the electrical parameters was discussed in detail. The increase in the frequency led to the decrement in capacitance and conductance and the increment in the illumination generally led to the increment in capacitance and conductance. An abnormal behavior was detected in the accumulation region of the CV plots at 500 kHz and 1 MHz due to the inductive phenomenon of device. The effect of illumination intensity reduces the Ri values in the inversion region while enhances them in the depletion and accumulation region for 1 MHz. Additionally, the series resistance values decrease with increasing frequency due to the specific dispersion of localized interface states. As a consequence of the experimental results, a remarkable interaction was realized between the electrical parameters and the illumination, frequency and applied biases.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Literatur
1.
Zurück zum Zitat S.O. Tan, H. Uslu Tecimer, O. Çiçek, H. Tecimer, İ. Orak, Ş. Altındal, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 27, 8340–8347 (2016)CrossRef S.O. Tan, H. Uslu Tecimer, O. Çiçek, H. Tecimer, İ. Orak, Ş. Altındal, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 27, 8340–8347 (2016)CrossRef
2.
Zurück zum Zitat K. Kano, Semiconductor Devices (Prentice-Hall, Upper Saddle River, 1998) K. Kano, Semiconductor Devices (Prentice-Hall, Upper Saddle River, 1998)
3.
Zurück zum Zitat H. Uslu, Ş. Altındal, T. Tunc, İ. Uslu, T.S. Mammadov, J. Appl. Polym. Sci. 120, 322–328 (2011)CrossRef H. Uslu, Ş. Altındal, T. Tunc, İ. Uslu, T.S. Mammadov, J. Appl. Polym. Sci. 120, 322–328 (2011)CrossRef
4.
Zurück zum Zitat T.T.A. Tuan, D.-H. Kuo, C.-C. Li, W.-C. Yen, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 3264–3270 (2014)CrossRef T.T.A. Tuan, D.-H. Kuo, C.-C. Li, W.-C. Yen, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 3264–3270 (2014)CrossRef
5.
6.
Zurück zum Zitat D.M.C. Galicia, R.C. Perez, O.J. Sandoval, S.J. Sandoval, G.T. Delgado, C.I.Z. Romero, Thin Solid Films 371, 105 (2000)CrossRef D.M.C. Galicia, R.C. Perez, O.J. Sandoval, S.J. Sandoval, G.T. Delgado, C.I.Z. Romero, Thin Solid Films 371, 105 (2000)CrossRef
7.
Zurück zum Zitat M. Ortega, G. Santane, A. Morales-Acevedo, Superf. Vacio 9, 294 (1999) M. Ortega, G. Santane, A. Morales-Acevedo, Superf. Vacio 9, 294 (1999)
8.
Zurück zum Zitat J.K. Jha, R.S. Ortiz, J. Du, N.D. Shepherd, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 1492–1498 (2014)CrossRef J.K. Jha, R.S. Ortiz, J. Du, N.D. Shepherd, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 1492–1498 (2014)CrossRef
9.
Zurück zum Zitat W.E. Mahmoud, A.A. Al-Ghamdi, Opt. Laser Technol. 42, 1134–1138 (2010)CrossRef W.E. Mahmoud, A.A. Al-Ghamdi, Opt. Laser Technol. 42, 1134–1138 (2010)CrossRef
10.
Zurück zum Zitat C. Tsiarapas, D. Girginoudi, N. Georgoulas, Superlattices Microstruct. 75, 171–182 (2014)CrossRef C. Tsiarapas, D. Girginoudi, N. Georgoulas, Superlattices Microstruct. 75, 171–182 (2014)CrossRef
11.
Zurück zum Zitat S.O. Tan, H. Uslu Tecimer, O. Çiçek, H. Tecimer, Ş. Altındal, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 28, 4951–4957 (2017)CrossRef S.O. Tan, H. Uslu Tecimer, O. Çiçek, H. Tecimer, Ş. Altındal, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 28, 4951–4957 (2017)CrossRef
12.
Zurück zum Zitat A. Sarıyıldız, Ö. Vural, M. Evecen, Ş. Altındal, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 4391–4397 (2014)CrossRef A. Sarıyıldız, Ö. Vural, M. Evecen, Ş. Altındal, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 4391–4397 (2014)CrossRef
13.
Zurück zum Zitat V.R. Reddy, V. Janardhanam, M.-S. Kang, C.-J. Choi, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 2379–2386 (2014)CrossRef V.R. Reddy, V. Janardhanam, M.-S. Kang, C.-J. Choi, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 25, 2379–2386 (2014)CrossRef
14.
15.
Zurück zum Zitat S. Alialy, H. Tecimer, H. Uslu, Ş. Altındal, J. Nanomed. Nanotechnol. 4, 167–173 (2013) S. Alialy, H. Tecimer, H. Uslu, Ş. Altındal, J. Nanomed. Nanotechnol. 4, 167–173 (2013)
16.
Zurück zum Zitat J. Szatkowski, K. Sierański, Solid State Electron. 35, 1013–1015 (1992)CrossRef J. Szatkowski, K. Sierański, Solid State Electron. 35, 1013–1015 (1992)CrossRef
17.
Zurück zum Zitat E. Marıl, S.O. Tan, Ş. Altındal, İ. Uslu, IEEE Trans. Electron Devices 65, 3901–3908 (2018)CrossRef E. Marıl, S.O. Tan, Ş. Altındal, İ. Uslu, IEEE Trans. Electron Devices 65, 3901–3908 (2018)CrossRef
18.
Zurück zum Zitat İ. Taşçıoğlu, Ö. Tüzün Özmen, H.M. Şağban, E. Yağlıoğlu, Ş. Altındal, J. Electron. Mater. 46, 2379–2386 (2017)CrossRef İ. Taşçıoğlu, Ö. Tüzün Özmen, H.M. Şağban, E. Yağlıoğlu, Ş. Altındal, J. Electron. Mater. 46, 2379–2386 (2017)CrossRef
19.
Zurück zum Zitat M. Gandouzi, Z.R. Khan, A.S. Alshammaria, Comput. Mater. Sci. 156, 346–353 (2019)CrossRef M. Gandouzi, Z.R. Khan, A.S. Alshammaria, Comput. Mater. Sci. 156, 346–353 (2019)CrossRef
20.
Zurück zum Zitat J. Grosvalet, C. Jund, IEEE Trans. Electron Devices 14, 777–780 (1967)CrossRef J. Grosvalet, C. Jund, IEEE Trans. Electron Devices 14, 777–780 (1967)CrossRef
21.
Zurück zum Zitat D. Korucu, A. Türüt, R. Turan, Ş. Altındal, Mater. Sci. Semicond. Process. 16, 344–351 (2013)CrossRef D. Korucu, A. Türüt, R. Turan, Ş. Altındal, Mater. Sci. Semicond. Process. 16, 344–351 (2013)CrossRef
22.
Zurück zum Zitat E. Arslan, Y. Safak, S. Altındal, Ö. Kelekçi, E. Özbay, J. Noncryst. Solids 356, 1006–1011 (2010)CrossRef E. Arslan, Y. Safak, S. Altındal, Ö. Kelekçi, E. Özbay, J. Noncryst. Solids 356, 1006–1011 (2010)CrossRef
23.
Zurück zum Zitat E.E. Tanrıkulu, S. Demirezen, Ş. Altındal, İ. Uslu, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 29, 2890–2898 (2018)CrossRef E.E. Tanrıkulu, S. Demirezen, Ş. Altındal, İ. Uslu, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 29, 2890–2898 (2018)CrossRef
24.
25.
Zurück zum Zitat A.A.M. Farag, I.S. Yahia, M. Fadel, Int. J. Hydrog. Energy 34, 4906–4913 (2009)CrossRef A.A.M. Farag, I.S. Yahia, M. Fadel, Int. J. Hydrog. Energy 34, 4906–4913 (2009)CrossRef
26.
Zurück zum Zitat B.K. Jones, J. Santana, M. McPherson, Solid State Commun. 107, 47–50 (1998)CrossRef B.K. Jones, J. Santana, M. McPherson, Solid State Commun. 107, 47–50 (1998)CrossRef
27.
Zurück zum Zitat H. Tecimer, S.O. Tan, Ş. Altındal, IEEE Trans. Electron Devices 65, 231–236 (2018)CrossRef H. Tecimer, S.O. Tan, Ş. Altındal, IEEE Trans. Electron Devices 65, 231–236 (2018)CrossRef
28.
Zurück zum Zitat A. Dutta, C. Bharti, T.P. Sinha, Mater. Res. Bull. 43, 1246–1254 (2008)CrossRef A. Dutta, C. Bharti, T.P. Sinha, Mater. Res. Bull. 43, 1246–1254 (2008)CrossRef
29.
30.
Zurück zum Zitat E.H. Nicollian, J.R. Brews, Metal Oxide Semiconductor (MOS) Physics and Technology (Wiley, New York, 1982) E.H. Nicollian, J.R. Brews, Metal Oxide Semiconductor (MOS) Physics and Technology (Wiley, New York, 1982)
31.
Zurück zum Zitat A. Büyükbaş Uluşan, A. Tataroğlu, Silicon 10, 2071–2077 (2018)CrossRef A. Büyükbaş Uluşan, A. Tataroğlu, Silicon 10, 2071–2077 (2018)CrossRef
32.
Zurück zum Zitat H. Saidi, W. Aloui, A. Bouazizi, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 29, 18051–18058 (2018)CrossRef H. Saidi, W. Aloui, A. Bouazizi, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 29, 18051–18058 (2018)CrossRef
33.
Zurück zum Zitat P.P. Sharmila, R.M. Sebastain, S. Sagar, E.M. Mohammed, N.J. Tharayil, Ferroelectrics 474, 144–155 (2015)CrossRef P.P. Sharmila, R.M. Sebastain, S. Sagar, E.M. Mohammed, N.J. Tharayil, Ferroelectrics 474, 144–155 (2015)CrossRef
Metadaten
Titel
Frequency, voltage and illumination interaction with the electrical characteristics of the CdZnO interlayered Schottky structure
verfasst von
İlke Taşçıoğlu
S. O. Tan
Ş. Altındal
Publikationsdatum
16.05.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2019
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-019-01509-4

Weitere Artikel der Ausgabe 12/2019

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2019 Zur Ausgabe