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Journal of Sol-Gel Science and Technology
Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology 3/2010

01.09.2010 | Original Paper

Effect of annealing temperature on titania thin films prepared by spin coating

verfasst von: A. Nakaruk, C. Y. Lin, D. S. Perera, C. C. Sorrell

Erschienen in: Journal of Sol-Gel Science and Technology | Ausgabe 3/2010

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Abstract

Essentially fully dense titania thin films were spin coated on fused quartz substrates under identical conditions and subjected to annealing over the range 750°–900°C. The films were of a consistent ~400 nm thickness. The anatase → rutile phase transformation temperature was between 750°C and 800°C, with first-order kinetics; annealing at 900°C yielded single-phase rutile. Silicon contamination from the fused quartz substrate was considered to be critical since it suppressed both titania grain growth (maintaining constant grain size) and the phase transformation (occurring at an unusually high temperature); its presence also was considered to be responsible for the formation of lattice defects, which decreased the transmittances and the band gaps.
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Metadaten
Titel
Effect of annealing temperature on titania thin films prepared by spin coating
verfasst von
A. Nakaruk
C. Y. Lin
D. S. Perera
C. C. Sorrell
Publikationsdatum
01.09.2010
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Sol-Gel Science and Technology / Ausgabe 3/2010
Print ISSN: 0928-0707
Elektronische ISSN: 1573-4846
DOI
https://doi.org/10.1007/s10971-010-2257-y

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