01.12.2011 | Research Paper
The effect of sub-band gap photon illumination on the properties of GaN layers grown on Si(111) by MBE
Erschienen in: Journal of Nanoparticle Research | Ausgabe 12/2011
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by