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Science China Technological Sciences
Erschienen in: Science China Technological Sciences 9/2009

01.09.2009

Study of GaN MOS-HEMT using ultrathin Al2O3 dielectric grown by atomic layer deposition

verfasst von: YuanZheng Yue, Yue Hao, Qian Feng, JinCheng Zhang, XiaoHua Ma, JinYu Ni

Erschienen in: Science China Technological Sciences | Ausgabe 9/2009

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Metadaten
Titel
Study of GaN MOS-HEMT using ultrathin Al2O3 dielectric grown by atomic layer deposition
verfasst von
YuanZheng Yue
Yue Hao
Qian Feng
JinCheng Zhang
XiaoHua Ma
JinYu Ni
Publikationsdatum
01.09.2009
Verlag
SP Science in China Press
Erschienen in
Science China Technological Sciences / Ausgabe 9/2009
Print ISSN: 1674-7321
Elektronische ISSN: 1869-1900
DOI
https://doi.org/10.1007/s11431-008-0231-5

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