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Journal of Materials Science
Erschienen in: Journal of Materials Science 21/2011

01.11.2011

Growth of highly oriented iridium oxide bottom electrode for Pb(Zr,Ti)O3 thin films using titanium oxide seed layer

verfasst von: L. Trupina, C. Miclea, L. Amarande, M. Cioangher

Erschienen in: Journal of Materials Science | Ausgabe 21/2011

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Abstract

Due to its low resistivity and excellent thermal stability, IrO2 has attracted attention as an alternative for electrode material in ferroelectric integrated circuit applications. Oriented growth of IrO2 electrode film was investigated with the goal to control the texture of the PZT thin film. IrO2 films were prepared by DC reactive sputtering. PZT film was prepared by RF magnetron sputtering single target deposition method. The whole layer stack was grown onto amorphous thermal oxide of a silicon wafer. The results indicate that IrO2 thin film was preferentially (200) oriented when a TiO2 seeding layer was used. The orientation relationships along the whole PZT(111)/IrO2(200)/TiO2(200)/Ti structure was discussed.
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Metadaten
Titel
Growth of highly oriented iridium oxide bottom electrode for Pb(Zr,Ti)O3 thin films using titanium oxide seed layer
verfasst von
L. Trupina
C. Miclea
L. Amarande
M. Cioangher
Publikationsdatum
01.11.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science / Ausgabe 21/2011
Print ISSN: 0022-2461
Elektronische ISSN: 1573-4803
DOI
https://doi.org/10.1007/s10853-011-5642-1

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