Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
MTZ-Fachkongress

Antriebe und Energiesysteme von morgen


Austausch von Automobil- und Energiewirtschaft

Am 14./15. Mai geht es in Chemnitz um die Mobilitätswende durch Elektro- und Wasserstofffahrzeuge.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2007

01.07.2007

High boron incorporation in selective epitaxial growth of SiGe layers

verfasst von: R. Ghandi, M. Kolahdouz, J. Hållstedt, Jun Lu, R. Wise, H. Wejtmans, M. Östling, H. H. Radamson

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 7/2007

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Incorporation of high amount of boron in the range of 1 × 1020–1 × 1021 cm−3 in selective epitaxial growth (SEG) of Si1 − xGex (x = 0.15–0.315) layers for recessed or elevated source/drain junctions in CMOS has been studied. The effect of high boron doping on growth rate, Ge content and appearance of defect in the epi-layers was investigated. In this study, integration issues were oriented towards having high layer quality whereas still high amount of boron is implemented and the selectivity of the epitaxy is preserved.
Vorheriger Artikel EPR characterization of defects in m-HfO2
Nächster Artikel The response of open-volume defects in Si0.92Ge0.08 to annealing in nitrogen or oxygen ambient

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
T. Ghani et al., IEDM Tech. Digest 978 (2003)
2.
3.
S. Gannavaram, N. Pesovic, C. Ozturk, International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM, 437 (2000)
4.
C. Isheden, J. Seger, H.H. Radamson, S.-L. Zhang, M. Ostling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 745, 117 (2003)
5.
S. Bodnar, E. de Berranger, P. Bouillon, M. Mouis, T. Skotnicki, J.L. Regolini, J. Vac. Sci. Tech. B. 15, 712 (1997)CrossRef
6.
K.P. Giannakopoulos, S. Roth, M. Burghammer, C. Fellous, D. Richard, D. Dutartre, J. Appl. Phys. 93, 259 (2003)CrossRef
7.
J. Hallstedt, E. Suvar, C. Menon, P.-E. Hellström, M. Östling, H.H. Radamson, Mat. Sci. Eng. B: Solid-State Mater Adv Tech. 109, 122 (2004)
8.
J.M. Hartmann, L. Clavelier, C. Jahan, P. Holliger, G. Rolland, T. Billon, C. Defranoux, J. Cryst. Growth. 264, 36 (2004)CrossRef
9.
10.
H.H. Radamson, M.R. Jr Sardela, L. Hultman, G.V. Hansson, J. Appl. Phys. 76, 763 (1994)CrossRef
11.
12.
C.M. Liu, W.L. Liu, S.H. Hsieh, T.K. Tsai, W.J. Chen, Appl. Sur. Sci. 243, 259 (2005)CrossRef
13.
14.
H.H. Radamson, K.B. Joelsson, W.X. Ni, L. Hultman, G.V. Hansson, J. Cryst. Growth. 157, 80 (1995)CrossRef
15.
Metadaten
Titel
High boron incorporation in selective epitaxial growth of SiGe layers
verfasst von
R. Ghandi
M. Kolahdouz
J. Hållstedt
Jun Lu
R. Wise
H. Wejtmans
M. Östling
H. H. Radamson
Publikationsdatum
01.07.2007
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 7/2007
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-007-9121-z

Weitere Artikel der Ausgabe 7/2007

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2007 Zur Ausgabe

OriginalPaper

Ab initio investigation of charge transfer technique for control of Schottky contacts in CNTs

OriginalPaper

Infrared absorption and slow positron investigation of hydrogen plasma induced platelets in crystalline germanium

OriginalPaper

Analysis of the (100)Si/LaAlO3 structure by electron spin resonance: nature of the interface

OriginalPaper

Comparative studies of defect production in heavily doped silicon under fast electron irradiation at different temperatures

OriginalPaper

A DLTS study on plasma-hydrogenated n-type high-resistivity magnetic Cz silicon

OriginalPaper

Oxygen defects in irradiated germanium

Neuer Inhalt

    Bildnachweise