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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2011

01.07.2011

Dielectric and piezoelectric properties of BiMnO3 doped 0.95Na0.5K0.5NbO3–0.05LiSbO3 ceramics

verfasst von: Minhong Jiang, Xinyu Liu, Guohua Chen, Jun Cheng

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 7/2011

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Abstract

The piezoelectric properties of (1 − x)(0.95K0.5Na0.5NbO3–0.05LiSbO3)–x BiMnO3 (x = 0, 0.002, 0.004, 0.006, 0.008, 0.01) lead-free piezoelectric ceramics were investigated as a function of x. These ceramics were fabricated by conventional ceramics sintering processing. BiMnO3 (BM)-doping was found to increase the Curie temperature, T c, from 370 °C at x = 0–380 °C at x = 0.002, and clearly increase the d 33, Q m and k p values, showing “hard” characteristic. The good piezoelectric and electromechanical properties of d 33 = 226pC/N, k p = 40.8%, tan θ = 2.60% and T c = 370 °C appear at x = 0.004.
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Literatur
1.
2.
3.
4.
W. Yoshiki, S. Kenichi, Y. Seiji, S. Sumihito, H. Shin-ichi, K. Koichi, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 3556 (2008)CrossRef
5.
D. Lin, K.W. Kwok, H.L.W. Chan, J. Appl. Phys. 102, 074113-1 (2007)
6.
7.
8.
A. Reisman, F. Holtzberg, J. Am. Chem. Soc. 772, 115 (1955)
9.
H. Birol, D. Damjanovic, N.J. Setter, Eur. Ceram. Soc. 26, 861 (2006)CrossRef
10.
Y.F. Chang, Z.P. Yang, L.L. Wei, B. Liu, Mater. Sci. Eng. A 437, 301 (2006)CrossRef
11.
Y. Saito, H. Takao, T. Tani, T. Nonoyama, K. Takatori, T. Homma, T. Nagaya, M. Nakamura, Nature 432, 84 (2004)CrossRef
12.
S.J. Zhang, R. Xia, T.R. Shrout, G.Z. Zang, J.F. Wang, J. Appl. Phys. 100, 104108-1 (2006)
13.
E. Hollenstein, M. Davis, D. Damjanovic, N. Setter, Appl. Phys. Lett. 87, 182905-1 (2005)CrossRef
14.
R. Wang, R. Xie, K. Hanada, K. Matsusaki, H. Bando, M. Itoh, Phys. Status Solidi A 202, R57 (2005)CrossRef
15.
16.
17.
G.Z. Zang, J.F. Wang, H.C. Chen, W.B. Su, C.M. Wang, P. Qi, B.Q. Ming, J. Du, L.M. Zheng, S. Zhang, T.R. Shrout, Appl. Phys. Lett. 88, 212908-1 (2006)
18.
S.H. Choy, X.X. Wang, H.L.W. Chan, C.L. Choy, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process 82, 715 (2006)CrossRef
19.
M. Matsubara, T. Yamaguchi, W. Sakamoto, K. Kikuta, T. Yogo, S.J. Hirano, Am. Ceram. Soc. 88, 1190 (2005)CrossRef
20.
M. Matsubara, K. Kikuta, S. Hirano, J. Appl. Phys. 97, 114105-1 (2005)CrossRef
21.
H.L. Du, F.S. Tang, D.J. Liu, D.M. Zhu, W.C. Zhou, S.B. Qu, Mater. Sci. Eng. B 136, 165 (2007)CrossRef
22.
T.A. Skidmore, T.J. Stevenson, T.P. Comyn, S.J. Milne, Key Eng. Mater. 368–372, 1886 (2007)
23.
S.J. Zhang, R. Xia, T.R. Shrout, G.Z. Zang, J.F. Wang, Solid State Commun. 141, 675 (2007)CrossRef
24.
H.E. Mgbemere, R. Herber, G.A. Schneider, J. Eur. Ceram. Soc. 29, 1729 (2009)CrossRef
25.
C. Ahn, S. Nahm, M. Yoo, H. Lee, S. Priya, J. Mater. Sci. 43, 6016 (2008)CrossRef
26.
J.G. Wu, D.Q. Xiao, Y.Y. Wang, J.G. Zhu, P. Yu, Y.H. Jiang, J. Appl. Phys. 102, 114113-1 (2007)
27.
28.
H.Y. Park, I.T. Seo, M.K. Choi, S. Nahm, H.G. Lee, H.W. Kang, B.H. Choi, J. Appl. Phys. 104, 034103-1 (2008)
Metadaten
Titel
Dielectric and piezoelectric properties of BiMnO3 doped 0.95Na0.5K0.5NbO3–0.05LiSbO3 ceramics
verfasst von
Minhong Jiang
Xinyu Liu
Guohua Chen
Jun Cheng
Publikationsdatum
01.07.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 7/2011
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-010-0229-1

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