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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2016

18.04.2016

Large piezoelectric properties of (1 − x)Na0.5Bi0.5TiO3–xBaTiO3 thin films prepared by sol–gel method

verfasst von: Wenhan Cui, Xiaohui Wang, Longtu Li

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 7/2016

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Abstract

(1 − x)Na0.5Bi0.5TiO3–xBaTiO3 (BNT–xBT) thin films with x = 0, 0.04, 0.06, 0.08 were prepared on Pt(111)/Ti/SiO2/Si substrates via water-based sol–gel method. A new crystallization process called stepwise crystallization was used to obtain pure perovskite phase observed by XRD. Piezoelectric property and ferroelectric property of BNT–xBT thin films are investigated, and BNT–BT0.06 shows best piezoelectric and ferroelectric properties among the different compositions. The maximum strain value of 1.4–1.8 % and d 33 of 83 pm/V are observed for BNT–BT0.06 thin films. AFM and PFM images reveal the dense morphology and large piezoresponse of BNT–BT thin films without orientation.
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Metadaten
Titel
Large piezoelectric properties of (1 − x)Na0.5Bi0.5TiO3–xBaTiO3 thin films prepared by sol–gel method
verfasst von
Wenhan Cui
Xiaohui Wang
Longtu Li
Publikationsdatum
18.04.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 7/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-4696-x

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