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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9/2019

01.04.2019

Characterization of Er3+ doped ZnTeTa semiconducting oxide glass

verfasst von: Gökhan Kilic, Ugur Gökhan Issever, Erkan Ilik

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 9/2019

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Abstract

Er3+ doped zinc-tellurite oxide glasses based on 24ZnO.72TeO2.(4 − x)Ta2O5·xEr2O3 with different compositions of Er2O3 (x = 0.5, 1, 1.5, 2% mol) have successfully been synthesized by the conventional melt-quenching technique. Structures of these glasses have been investigated by means of XRD, DSC and ATR–FTIR spectroscopy. XRD results demonstrated that these glasses were amorphous. DSC measurements gave us glassy transition temperatures (Tg), crys tallization temperatures (Tc) and melting temperatures (Tm). Thermal stability (ΔT) was calculated to vary between 141–152 °C. In addition, DSC also yielded information on the formation of some phases based on temperature. It was understood that TeO2 forming the glass network was found to be as TeO4 tbp and TeO3 tp within the structure since they gave the bands at 570–600 cm−1 and 660–760 cm−1 in FTIR spectra, respectively. Optical properties, optical gaps and Urbach energies of the glasses were determined and their refractive index values were calculated according to the optical gaps. Optical gaps were found to be within the range of 3.10–3.17 eV. 12 characteristic bands belonging to Er3+ were determined from the absorbance spectra of synthesized glasses. Electrical conductivity, resistivity and density, molar volume values were also obtained and the results were reported.

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Metadaten
Titel
Characterization of Er3+ doped ZnTeTa semiconducting oxide glass
verfasst von
Gökhan Kilic
Ugur Gökhan Issever
Erkan Ilik
Publikationsdatum
01.04.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 9/2019
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-019-01220-4

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