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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 13/2020

15.05.2020

The role of rare-earth metal (Y, Ru and Cs)-doped ZnO thin films in NH3 gas sensing performances at room temperature

verfasst von: Fatma Sarf, Irmak Karaduman Er, Emin Yakar, Selim Acar

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 13/2020

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Abstract

Pure and rare-earth metal [Yttrium (Y), Ruthenium (Ru) and Caesium (Cs)]-doped ZnO thin films were deposited onto In-doped SnO2 substrates by chemical bath deposition. The present study detailed investigated the effect of rare-earth metal-doped ZnO on NH3 gas sensing. X-ray diffraction analysis indicated that the incorporated rare-earth metal ions substitute Zn sites in the ZnO lattice. Dimension of ZnO films decreased with rare-earth metal doping which detected from surface morphology images. The response of 100 ppb NH3 gas was calculated to be 0.80 (200 °C), 14.00 (90 °C), 17.00 (50 °C), and 10.00 (120 °C) for the pure, Y-, Ru-, and Cs-doped ZnO films, respectively. In addition, the response of 15 ppm NH3 gas at room temperature was calculated to be 0.20, 27.00, 57.00, and 18.00 for undoped Y-, Ru-, and Cs-doped ZnO films, respectively.
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Metadaten
Titel
The role of rare-earth metal (Y, Ru and Cs)-doped ZnO thin films in NH3 gas sensing performances at room temperature
verfasst von
Fatma Sarf
Irmak Karaduman Er
Emin Yakar
Selim Acar
Publikationsdatum
15.05.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 13/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-03554-w

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