01.06.2015
Design consideration of GaAs-based blocked-impurity-band detector with the absorbing layer formed by ion implantation
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 6/2015
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by