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Science China Technological Sciences
Erschienen in: Science China Technological Sciences 3/2013

01.03.2013

Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM

verfasst von: Du Tang, YongHong Li, GuoHe Zhang, ChaoHui He, YunYun Fan

Erschienen in: Science China Technological Sciences | Ausgabe 3/2013

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Metadaten
Titel
Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM
verfasst von
Du Tang
YongHong Li
GuoHe Zhang
ChaoHui He
YunYun Fan
Publikationsdatum
01.03.2013
Verlag
SP Science China Press
Erschienen in
Science China Technological Sciences / Ausgabe 3/2013
Print ISSN: 1674-7321
Elektronische ISSN: 1869-1900
DOI
https://doi.org/10.1007/s11431-012-5125-x

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