01.01.2003 | Regular Issue Paper
Structural characterization of GaAs1−xBix alloy by rutherford backscattering spectrometry combined with the channeling technique
Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 1/2003
EinloggenAktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by