Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
ATZ-Fachkongress

Chassis.tech plus 2024


4 Kongresse in einer Veranstaltung

Treffen Sie in München die Fachleute von Chassis, Lenkung, Bremsen sowie Reifen/Räder.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 12/2007

Open Access 01.12.2007

Electron and Hole Capture Cross-Sections of Fe Acceptors in GaN:Fe Epitaxially Grown on Sapphire

verfasst von: T. Aggerstam, A. Pinos, S. Marcinkevičius, M. Linnarsson, S. Lourdudoss

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 12/2007

Diesen Artikel als PDF-Version lesen.

loading …
Vorheriger Artikel On the Nature of the Interface between Ag3Sn Intermetallics and Sn in Sn-3.5Ag Solder Alloys
Nächster Artikel Influence of Ta-based Diffusion Barriers on the Microstructure of Copper Thin Films
download
DOWNLOAD
print
DRUCKEN
Metadaten
Titel
Electron and Hole Capture Cross-Sections of Fe Acceptors in GaN:Fe Epitaxially Grown on Sapphire
verfasst von
T. Aggerstam
A. Pinos
S. Marcinkevičius
M. Linnarsson
S. Lourdudoss
Publikationsdatum
01.12.2007
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 12/2007
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-007-0202-9

Weitere Artikel der Ausgabe 12/2007

Journal of Electronic Materials 12/2007 Zur Ausgabe

OriginalPaper

Superconducting and Transport Properties of (Bi-Pb)-Sr-Ca-Cu-O with Nano-Cr2O3 Additions

OriginalPaper

Evolution of Contact Resistance during the Bonding Process of NCA Flip-Chip Interconnections

OriginalPaper

Effect of Thermal Aging on Drop Performance of Chip Scale Packages with SnAgCu Solder Joints on Cu Pads

OriginalPaper

Foreword

OriginalPaper

Photothermal Activation of Shallow Dopants Implanted in Silicon

OriginalPaper

Effect of Electron–Electron Interaction on Nonlinear Near-Resonance Electromagnetic Response of Quantum Dot Systems

Neuer Inhalt

    Bildnachweise