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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2008

01.02.2008 | Physics of Semiconductor Devices

High-voltage (900 V) 4 H-SiC Schottky diodes with a boron-implanted guard p-n junction

verfasst von: I. V. Grekhov, P. A. Ivanov, N. D. Il’inskaya, O. I. Kon’kov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2008

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Metadaten
Titel
High-voltage (900 V) 4 H-SiC Schottky diodes with a boron-implanted guard p-n junction
verfasst von
I. V. Grekhov
P. A. Ivanov
N. D. Il’inskaya
O. I. Kon’kov
A. S. Potapov
T. P. Samsonova
Publikationsdatum
01.02.2008
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2008
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782608020176

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