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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 5/2010

01.05.2010 | Physics of Semiconductor Devices

Excess leakage currents in high-voltage 4H-SiC Schottky diodes

verfasst von: P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, A. S. Potapov, T. P. Samsonova, N. D. Il’inskaya, O. I. Kon’kov, O. Yu. Serebrennikova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 5/2010

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Metadaten
Titel
Excess leakage currents in high-voltage 4H-SiC Schottky diodes
verfasst von
P. A. Ivanov
I. V. Grekhov
A. S. Potapov
T. P. Samsonova
N. D. Il’inskaya
O. I. Kon’kov
O. Yu. Serebrennikova
Publikationsdatum
01.05.2010
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 5/2010
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782610050180

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