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Erschienen in:

01.07.2019 | FABRICATION, TREATMENT, AND TESTING OF MATERIALS AND STRUCTURES

Properties of Semipolar GaN Grown on a Si(100) Substrate

verfasst von: V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, N. V. Seredova, A. V. Solomnikova, M. P. Shcheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 7/2019

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Semipolar GaN layers synthesized on a nanostructured Si(100) substrate are studied. It is shown that using a Si(100) nanoprofile combined with Si_xN_y nanostrips on top of nanostructures can yield, via metal-organic chemical-vapor deposition, GaN(10\(\bar {1}\)2) layers. An additional SiC buffer layer makes it possible to obtain GaN(10\(\bar {1}\)1) layers with a full-width at half-maximum of the diffraction-curve of ω_θ ≈ 35′ arcmin. It is found that the luminescence properties of the semipolar layers are mostly due to basal plane stacking faults BSF_S-I₁, in contrast to polar layers in which these properties are mostly due to the recombination of excitons.

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Titel: Properties of Semipolar GaN Grown on a Si(100) Substrate
verfasst von: V. N. Bessolov
E. V. Konenkova
T. A. Orlova
S. N. Rodin
N. V. Seredova
A. V. Solomnikova
M. P. Shcheglov
D. S. Kibalov
V. K. Smirnov
Publikationsdatum: 01.07.2019
Verlag: Pleiades Publishing
Erschienen in: Semiconductors / Ausgabe 7/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070054

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