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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2013

01.03.2013 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Low-temperature growth of silicon epitaxial layers codoped with erbium and oxygen atoms

verfasst von: D. V. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, M. V. Stepikhova, M. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2013

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Metadaten
Titel
Low-temperature growth of silicon epitaxial layers codoped with erbium and oxygen atoms
verfasst von
D. V. Shengurov
V. Yu. Chalkov
S. A. Denisov
V. G. Shengurov
M. V. Stepikhova
M. N. Drozdov
Z. F. Krasilnik
Publikationsdatum
01.03.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613030251

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