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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2009

01.11.2009

Low-temperature sintered (Zn0.65Mg0.35)TiO3 microwave ceramics doped with CuV2O6

verfasst von: Bo Li, Xiaohua Zhou, Shuren Zhang, Hongmei Jiang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2009

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Abstract

The influence of the CuV2O6 additives on the densification, microstructural evolution, and dielectric properties of (ZnMg)TiO3 (ZMT) ceramics was investigated. The sintering agent CuV2O6 can significantly enhance the sinterability and lower the firing temperature of ZMT dielectrics to ≤930 °C. SEM shows that liquid phase sintering induced by CuV2O6 can promote the grain growth and elevate the bulk density dramatically. XRD indicates that excess CuV2O6 beyond the solubility ~1.5 wt% could form the secondary phase and affect the crystalline structure. The microwave results show that the dielectric constant (εr) increases gradually, but the quality factor (× f) and the temperature coefficients of resonant frequency (τf) decrease with increasing CuV2O6 content. Moreover, TiO2 addition can effectively improve the microwave properties of CuV2O6-doped ZMT dielectrics and especially compensate the negative τ f. (Zn0.65Mg0.35)TiO3 ceramics codoped with 1 wt% CuV2O6 and 9 wt% TiO2 sintered at 930 °C exhibited the optimum microwave dielectric properties: ε r = 26.2, × f = 31,930 GHz, τ f ≈ −0.32 × 10−6/°C.

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Metadaten
Titel
Low-temperature sintered (Zn0.65Mg0.35)TiO3 microwave ceramics doped with CuV2O6
verfasst von
Bo Li
Xiaohua Zhou
Shuren Zhang
Hongmei Jiang
Publikationsdatum
01.11.2009
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2009
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-008-9837-4

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