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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2014

01.07.2014

Manganese double substituted pyrochlore type semiconducting oxides for high temperature NTC thermistor applications

verfasst von: S. Sumi, P. Prabhakar Rao, Peter Koshy

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 7/2014

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Abstract

The effect of simultaneous substitution of Mn in both A and B sites of the pyrochlore type semiconducting oxides: (CaCe1−2x Mn2x )(Sn1−x Mn x Nb)O7−δ (x = 0, 0.1, 0.2, 0.3 and 0.4) was studied by employing powder X-ray diffraction, Raman spectroscopy, scanning electron microscopy and electrical conductivity measurements. Besides the structural confirmation, Raman spectroscopy studies revealed the increased local disordering in the structure with progressive Mn substitution which is not observable in X-ray diffraction studies. The conductivity measurements confirm the negative temperature coefficient (NTC) behavior of the samples. Grain boundary dominant electrical characteristics have been observed in compounds with higher Mn concentration. Thermistor constant of the system lies in the range 6,700–8,500 K and the sensitivity values are in the range −1 to −2 %. The double substitution of Mn in this system offers to tune the NTC thermistor properties with increased localization of electrons in the lattice.

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Metadaten
Titel
Manganese double substituted pyrochlore type semiconducting oxides for high temperature NTC thermistor applications
verfasst von
S. Sumi
P. Prabhakar Rao
Peter Koshy
Publikationsdatum
01.07.2014
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 7/2014
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-014-1971-6

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