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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 8-9/2008

01.09.2008

Microstructure and luminescence properties of Co-doped SnO2 nanoparticles synthesized by hydrothermal method

verfasst von: L. M. Fang, X. T. Zu, Z. J. Li, S. Zhu, C. M. Liu, L. M. Wang, F. Gao

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 8-9/2008

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Abstract

Co-doped SnO2 nanoparticles were synthesized by a simple hydrothermal method, and characterized by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Transmission electron microscopy (TEM), UV–Vis diffuse reflectance spectra (DRS) and Photoluminescence spectroscopy (PL). It is found that the SnO2 crystallites with the tetragonal rutile structure formed directly during the hydrothermal process without calcination. The Co-doped SnO2 nanoparticles were spheric and well-dispersed with narrow size distribution. The crystalline size of SnO2 decreased from 5.98 to 2.22 nm when the Co content increased from 0% to 20%. A considerable red shift in the absorbing band edge was observed with increasing of Co dopant.
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Literatur
1.
A. Teeramongkonrasmee, M. Sriyudthsak, Sensor. Actuator B 66, 256 (2000)CrossRef
2.
G. Ansari, D. Boroojerdian, S.R. Sainker, R.N. Karekar, R.C. Aiyer, S.K. Kulkarni, Thin Solid Films 295, 271 (1997)CrossRef
3.
Tomokatsu Hayakawa, Masayuki Nogami, Sci. Technol. Adv. Mater. 6, 66 (2005)CrossRef
4.
5.
V. Subramanian, K.I. Gnanasekar, B. Rambabu, Solid State Ionics 175, 181 (2004)CrossRef
6.
S.R. Stampfl, Y. Chen, J.A. Dumesis, Ch. Niu, C.G. Hill, J. Catal. 105, 445 (1987)CrossRef
7.
F. Gu, S.F. Wang, C.F. Song, M.K. Lu, Y.X. Qi, G.J. Zhou, D. Xu, D.R. Yuan, Chem. Phys. Lett. 372, 51 (2003)CrossRef
8.
9.
10.
V. Schlosser, G. Wind, in Proceedings of the 8th EC Photovoltaic Solar Energy Conference, (Florence, Italy, 1998), p. 998
11.
F. Gu, S.F. Wang, M.K. Lu, Y.X. Qi, G.J. Zhou, D. Xu, D.R. Yuan, Opt. Mater. 25, 59 (2004)CrossRef
12.
H. Elhouichet, L. Othman, A. Moadhen, M. Oueslati, J.A. Roger, Mater. Sci. Eng. B 5, 8 (2003)CrossRef
13.
J. Del Castillo, V.D. Rodriguez, A.C. Yanes, J. Mendez-Ramos, Nanotechnology 16, S300 (2005)CrossRef
14.
F. Gu, S.F. Wang, M.K. Lu, G.J. Zhou, D. Xu, D.R. Yuan, J. Phys. Chem. B 108, 8119 (2004)CrossRef
15.
F. Gu, S.F. Wang, M.K. Lu, Y.X. Qi, G.J. Zhou, D. Xu, D.R. Yuan, Inorg. Chem. Commun. 6, 882 (2003)CrossRef
16.
H.Y. Jin, Y.H. Xu, G.S. Pang, W.J. Dong, Mater. Chem. Phys. 85, 58–62 (2004)CrossRef
17.
J. Hays, A. Punnoose, R. Baldner, M.H. Engelhard, J. Peloquin, K.M. Reddy, Phys. Rev. B 72, 075203 (2005)CrossRef
18.
G. Korotcenkov, V. Macsanov, V. Brinzari, V. Tolstoy, J. Schwank, A. Cornet, J. Morante. Thin Solid Films 467, 20–214 (2004)
19.
L.C. Liu, L.M. Fang, X.T. Zu, W.L Zhou, Chin. Phys. 16, 95–99 (2007)CrossRef
20.
G. Kortum, Reflectance Spectroscopy (Springer-Verlag, New York, 1969)
21.
22.
23.
24.
L.M. Fang, X.T. Zu, Z.J. Li, S. Zhu, C.M. Liu, W.L. Zhou, L.M. Wang, J. Alloys Compd. (in press)
25.
Z.J. Li, B. Hou, Y. Xu, D. Wu, Y.H. Sun, J. Mater. Sci. 40, 3939 (2005)CrossRef
26.
C. Wang, D.W. Bahnemann, J.K. Dohrmann, Chem. Commun. 1539 (2000)
27.
28.
V.A.L. Roy, A.B. Djurisic, H. Liu, X.X. Zhang, Y.H. Leung, M.H. Xie, J. Gao, H.F. Lui, C. Surya, Appl. Phys. Lett. 84, 756 (2004)CrossRef
29.
Metadaten
Titel
Microstructure and luminescence properties of Co-doped SnO2 nanoparticles synthesized by hydrothermal method
verfasst von
L. M. Fang
X. T. Zu
Z. J. Li
S. Zhu
C. M. Liu
L. M. Wang
F. Gao
Publikationsdatum
01.09.2008
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 8-9/2008
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-007-9543-7

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