Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2016

06.11.2015

MOVPE growth of in situ Ga catalyzed AlGaAs nanowires on sapphire substrate

verfasst von: Rajesh K. Bag, J. Lohani, R. Tyagi, D. K. Pandya, R. Singh

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 3/2016

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Growth of single crystalline AlGaAs nanostructures was carried out on highly lattice mismatched sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy technique without using any external catalyst. In situ deposited Ga droplets were used as catalyst for the growth of AlGaAs nanostructures. The effects of growth temperature and V/III ratio were studied in detail. The growth of nanowires required a careful optimization of the growth conditions. The formation of well-faceted nanostructures and nanowires with hexagonal cross-section were found to be influenced by the growth parameters. The growth of nanostructures proceeds via VS growth mechanism after the consumption of initial Ga droplets depending on the growth conditions.
Vorheriger Artikel Synthesis and characterization of low density polyethylene with multiferroic bismuth ferrite nanocomposite
Nächster Artikel Fabrication of p-NiO/n-ZnO heterojunction devices for ultraviolet photodetectors via thermal oxidation and hydrothermal growth processes

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
B.M. Kayes, H.A. Atwater, N.S. Lewis, J. Appl. Phys. 97, 114302 (2005)CrossRef
2.
M. Yao, N. Huang, S. Cong, C.-Y. Chi, M.A. Seyedi, Y.-T. Lin, Y. Cao, M.L. Povinelli, P.D. Dapkus, C. Zhou, Nano Lett. 14, 3293 (2014)CrossRef
3.
P. Parkinson, Y.-H. Lee, L. Fu, S. Breuer, H.H. Tan, C. Jagadish, Nano Lett. 13, 1405 (2013)
4.
K. Tomioka, J. Motohisa, S. Hara, K. Hiruma, T. Fukui, Nano Lett. 10, 1639 (2010)CrossRef
5.
J. Ho, J. Tatebayashi, S. Sergent, C.F. Fong, S. Iwamoto, Y. Arakawa, ACS Photonics 2, 165 (2015)CrossRef
6.
B. Mayer, D. Rudolph, J. Schnell, S. Morkötter, J. Winnerl, J. Treu, K. Müller, G. Bracher, G. Abstreiter, G. Koblmüller, J.J. Finley, Nat. Commun. 4, 2931 (2013)CrossRef
7.
S.K. Lim, M.J. Tambe, M.M. Brewster, S. Gradecak, Nano Lett. 8, 1386 (2008)CrossRef
8.
M.J. Tambe, S.K. Lim, M.J. Smith, L.F. Allard, S. Gradečak, Appl. Phys. Lett. 93, 151917 (2008)CrossRef
9.
J.W. Matthews, A.E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
10.
11.
12.
B.J. Ohlsson, M.T. Björk, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, L.R. Wallenberg, Appl. Phys. Lett. 79, 3335 (2001)CrossRef
13.
14.
L.C. Chuang, M. Moewe, S. Crankshaw, C. Chang-Hasnain, Appl. Phys. Lett. 92, 013121 (2008)CrossRef
15.
G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Y.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas, Phys. Status Solidi (RRL) 3, 112 (2009)CrossRef
16.
M. Wei, J. Zhang, D.M. Fryauf, J.J.D. Leon, K.J. Norris, H. Deng, G. Wen, S.-Y. Wang, N.P. Kobayashi, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 25, 4444 (2014)
17.
H. Liang, Q. Feng, X. Xia, R. Li, H. Guo, K. Xu, P. Tao, Y. Chen, G. Du, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 25, 1955 (2014)
18.
19.
T.I. Kamins, R.S. Williams, D.P. Basile, T. Hesjedal, J.S. Harris, J. Appl. Phys. 89, 1008 (2001)CrossRef
20.
A.I. Persson, M.W. Larsson, S. Stenstrom, B.J. Ohlsson, L. Samuelson, L.R. Wallenberg, Nat. Mater. 3, 677 (2004)CrossRef
21.
J.E. Allen, E.R. Hemsath, D.E. Perea, J.L. Lensch-Falk, Z.Y. Li, F. Yin, M.H. Gass, P. Wang, A.L. Bleloch, R.E. Palmer, L.J. Lauhon, Nat. Nanotechnol. 3, 168 (2008)CrossRef
22.
S. Breuer, C. Pfüller, T. Flissikowski, O. Brandt, H.T. Grahn, L. Geelhaar, H. Riechert, Nano Lett. 11, 1276 (2011)CrossRef
23.
M. Moewe, L.C. Chuang, S. Crankshaw, C. Chase, C. Chang-Hasnain, Appl. Phys. Lett. 93, 023116 (2008)CrossRef
24.
L.C. Chuang, M. Moewe, K.W. Ng, T.D. Tran, S. Crankshaw, R. Chen, W.S. Ko, C. Chang-Hasnain, Appl. Phys. Lett. 98, 123101 (2011)CrossRef
25.
26.
Z.R. Wasilewski, M.N. Dion, D.J. Lockwood, P. Poole, R.W. Streater, A.J. SpringThorpe, J. Appl. Phys. 81, 1683 (1997)CrossRef
Metadaten
Titel
MOVPE growth of in situ Ga catalyzed AlGaAs nanowires on sapphire substrate
verfasst von
Rajesh K. Bag
J. Lohani
R. Tyagi
D. K. Pandya
R. Singh
Publikationsdatum
06.11.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 3/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-4030-z

Weitere Artikel der Ausgabe 3/2016

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2016 Zur Ausgabe

Review

Rietveld analysis of CaCu3Ti4O12 thin films obtained by RF-sputtering

OriginalPaper

Electromagnetic response of magnetic graphene hybrid fillers and their evolutionary behaviors

OriginalPaper

A novel low loss microwave dielectric ceramic ZnZrNb1.84Sb0.16O8 with wolframite structure

OriginalPaper

The formation and conversion of intermetallic compounds in the Cu pillar Sn–Ag micro-bump with ENEPIG Cu substrate under current stressing

OriginalPaper

Thermal blooming and photoluminescence characterizations of sol–gel CdO–SiO2 with different nanocomposite

OriginalPaper

Green synthesis and characterization of lead titanate nanoparticles and its photocatalyst application

Neuer Inhalt

    Bildnachweise