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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 3/2008

01.09.2008

NEGF simulations of the effect of strain on scaled double gate nanoMOSFETs

NEGF simulations of the strain effect

verfasst von: Karol Kalna, Antonio Martinez, A. Svizhenko, M. P. Anantram, J. R. Barker, A. Asenov

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 3/2008

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Metadaten
Titel
NEGF simulations of the effect of strain on scaled double gate nanoMOSFETs
NEGF simulations of the strain effect
verfasst von
Karol Kalna
Antonio Martinez
A. Svizhenko
M. P. Anantram
J. R. Barker
A. Asenov
Publikationsdatum
01.09.2008
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 3/2008
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-008-0212-8

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