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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10/2013

01.10.2013

Origin of (103) plane of ZnO films deposited by RF magnetron sputtering

verfasst von: Yunlan Wang, Xinyi Li, Guoshun Jiang, Weifeng Liu, Changfei Zhu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 10/2013

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Abstract

(103) diffraction has been observed at X-ray diffraction (XRD) patterns of columnar Al-doped ZnO (AZO) thin films grown along [001] direction deposited by RF magnetron sputtering. As the X-ray incidence angle employed in grazing incidence XRD increased, the ratio of I(103)/I(002) became smaller. Similar results have also been observed when the films became thicker, which induced that the origin of the (103) diffraction might be related to the surface structure of AZO film. The surface structure could be affected by the movement or diffusion of atoms at the final stage of the sputtering process.

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Metadaten
Titel
Origin of (103) plane of ZnO films deposited by RF magnetron sputtering
verfasst von
Yunlan Wang
Xinyi Li
Guoshun Jiang
Weifeng Liu
Changfei Zhu
Publikationsdatum
01.10.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 10/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-013-1315-y

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