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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10/2013

01.10.2013

Effects of annealing on the formation of Mg2Si film prepared by resistive thermal evaporation method

verfasst von: H. Yu, Q. Xie, Q. Chen

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 10/2013

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Abstract

The effects of annealing time and temperature on the formation and structure of magnesium silicide (Mg2Si) films were investigated. Magnesium films of 380 nm thickness were deposited on Si (111) substrates using resistive thermal evaporation method. The films were then annealed in an annealing furnace under a low vacuum atmosphere of 10−1–10−2 Pa. The results showed that the crystallization quality of Mg2Si films was strongly affected by the annealing time and temperature. Annealing at 400 °C for 4 h was the optimal preparation conditions for Mg2Si films.
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Metadaten
Titel
Effects of annealing on the formation of Mg2Si film prepared by resistive thermal evaporation method
verfasst von
H. Yu
Q. Xie
Q. Chen
Publikationsdatum
01.10.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 10/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-013-1316-x

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