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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9/2002

01.09.2002

Oxygen impurities in Ga0.51In0.49P grown by solid-source molecular beam epitaxy

verfasst von: N. Xiang, A. Tukiainen, M. Pessa, J. Dekker, J. Likonen

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 9/2002

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Metadaten
Titel
Oxygen impurities in Ga0.51In0.49P grown by solid-source molecular beam epitaxy
verfasst von
N. Xiang
A. Tukiainen
M. Pessa
J. Dekker
J. Likonen
Publikationsdatum
01.09.2002
Verlag
Kluwer Academic Publishers
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 9/2002
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1023/A:1019673614143

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