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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 12/2001

01.12.2001 | Electronic and Optical Properties of Semiconductors

Paramagnetic defects in silicon carbide crystals irradiated with gamma-ray quanta

verfasst von: I. V. Ilyin, E. N. Mokhov, P. G. Baranov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 12/2001

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Metadaten
Titel
Paramagnetic defects in silicon carbide crystals irradiated with gamma-ray quanta
verfasst von
I. V. Ilyin
E. N. Mokhov
P. G. Baranov
Publikationsdatum
01.12.2001
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 12/2001
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1427968

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