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Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 1/2016

01.01.2016

Photocurrent multiplication characteristics of zinc phthalocyanine organic thin film transistor

verfasst von: Y. S. Zhang, D. X. Wang, Z. Y. Wang, Y. Y. Wang

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 1/2016

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Abstract

Organic thin film transistors have been fabricated by vacuum evaporation and magnetron sputtering. The structure of ZnPc organic thin film transistor is ITO/ZnPc/Al/ZnPc/Cu. ZnPc material has good photosensitive properties, which is the active layer in this photoelectric device. The performance of this device is superior by detecting this device and analyzing its photoelectric characteristics, When the 351 nm light irradiates the device, we can observe operating current increased obviously. The maximum value of β is 214.97. When Vec = 3 V, photocurrent amplification factor changes in the range of 1.92–2.76. Moreover, the photoelectric responsivity of this device is very high. When Vec = 3 V, photoelectric responsivity can reach 5.347 A/W.

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Literatur
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Metadaten
Titel
Photocurrent multiplication characteristics of zinc phthalocyanine organic thin film transistor
verfasst von
Y. S. Zhang
D. X. Wang
Z. Y. Wang
Y. Y. Wang
Publikationsdatum
01.01.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 1/2016
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-015-0301-4

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