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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 1/2016

01.01.2016

Investigation of N-face AlGaN ultraviolet light-emitting diodes with composition-varying AlGaN electron blocking layer

verfasst von: Chujun Yao, Guofeng Yang, Yuejing Li, Rui Sun, Qing Zhang, Jin Wang, S. M. Gao

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 1/2016

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Abstract

The optical and physical properties of N-face AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes (UV-LEDs) are investigated numerically and compared with Ga-face AlGaN based UV-LEDs. A composition-varying AlGaN electron blocking layer (EBL) is introduced in the N-face AlGaN UV-LEDs. Detailed analysis has been carried out on the electroluminescence spectra, power-current performance curves, energy band diagrams, carrier concentration and radiative recombination rate. The calculated results demonstrate that theN-face UV-LED with composition-varying AlGaN EBL reveals enhanced performance than that of the Ga-face UV-LED with the same structure.
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Metadaten
Titel
Investigation of N-face AlGaN ultraviolet light-emitting diodes with composition-varying AlGaN electron blocking layer
verfasst von
Chujun Yao
Guofeng Yang
Yuejing Li
Rui Sun
Qing Zhang
Jin Wang
S. M. Gao
Publikationsdatum
01.01.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 1/2016
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-015-0345-5

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