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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2/2019

19.11.2018

Photoluminescent and structural properties of color tunable trivalent europium doped SrGdAlO4 nanophosphors

verfasst von: Anju Hooda, S. P. Khatkar, Avni Khatkar, Mukesh Kumar, Mandeep Dalal, V. B. Taxak

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 2/2019

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Abstract

A series of Eu3+ ion doped SrGdAlO4 nanophosphors were prepared via solution combustion technique utilizing urea as a fuel. Structural properties of the tetragonal phase of the host/doped lattice belonging to the space group I4/mmm were characterized by powder X-ray diffraction (PXRD). Photoluminescence spectra, decay curves, UV–Visible diffuse reflectance spectra (UV–Vis DRS) and Judd–Ofelt analysis were utilized to characterize the photoluminescent properties. The radiative rates (Ar), branching ratios (Br) and intensity parameters (Ωλ) were estimated by Judd–Ofelt analysis. The optimal doping concentration of europium ions for SrGdAlO4 host lattice was found to be 20 mol%, above which concentration quenching was observed due to dipole–dipole interactions. CIE coordinates values lie in the blue region at lower concentrations of Eu3+ ions, which shifted towards white and then to reddish-orange region with higher concentrations of Eu3+ ions, suggesting the color tunable property of the synthesized nanophosphors. Lower value of CCT and color tunable phenomenon proved it as potential candidate for warm white light and phosphor converted white light emitting diodes (Pc-WLEDs) applications. The optical band gap of both host lattice (5.50 eV) as well as of 20 mol% Eu3+ doped SrGdAlO4 nanophosphors (5.26 eV) lie in the range of semiconductors which enhanced their areas of applications.

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Metadaten
Titel
Photoluminescent and structural properties of color tunable trivalent europium doped SrGdAlO4 nanophosphors
verfasst von
Anju Hooda
S. P. Khatkar
Avni Khatkar
Mukesh Kumar
Mandeep Dalal
V. B. Taxak
Publikationsdatum
19.11.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 2/2019
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-0399-9

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