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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2013

01.03.2013 | Physics of Semiconductor Devices

Picosecond internal Q-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage

verfasst von: B. Lanz, S. N. Vainshtein, V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, J. T. Kostamovaara

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2013

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Metadaten
Titel
Picosecond internal Q-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage
verfasst von
B. Lanz
S. N. Vainshtein
V. M. Lantratov
N. A. Kalyuzhnyy
S. A. Mintairov
J. T. Kostamovaara
Publikationsdatum
01.03.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613030159

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