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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Erschienen in:

03.05.2017

PVT growth of exfoliated CdZnTe polycrystalline thick films based on stress mismatch mechanism

verfasst von: Xiuying Gao, Shifu Zhu, Xinghua Zhu, Beijun Zhao, Hui Sun, Dingyu Yang, Peihua Wangyang

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 16/2017

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Abstract

The exfoliated CdZnTe (CZT) films were grown on quartz substrates by closed tube physical vapor transport method based on stress mismatch mechanism. The structure and morphology of the exfoliated CZT thick films were characterized by X-ray diffraction and scanning electron microscope. The as-grown CZT films are polycrystalline with (111) preferential orientation and exhibit a dense pyramid surface structure and a thickness of more than 600 μm. The coplanar and planar X-ray detectors were fabricated based on the exfoliated CZT film. The discrepant dark resistivity is 3.17 × 10⁹ and 5.14 × 10¹⁰ Ω cm with regard to the coplanar and planar structure detector, respectively. The planar structure detector exhibits higher quantum efficiency at low doses X-ray radiation.

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Titel: PVT growth of exfoliated CdZnTe polycrystalline thick films based on stress mismatch mechanism
verfasst von: Xiuying Gao
Shifu Zhu
Xinghua Zhu
Beijun Zhao
Hui Sun
Dingyu Yang
Peihua Wangyang
Publikationsdatum: 03.05.2017
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 16/2017
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-017-7041-0

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