nach oben

Journal of Computational Electronics

Erschienen in:

08.11.2017

Radiation effects on memristor-based non-volatile SRAM cells

verfasst von: H. M. Vijay, V. N. Ramakrishnan

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 1/2018

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config

KI-gestützte Suche

Aus

Abstract

Memristors are a promising candidate for non-volatile memory elements. In this paper, we performed a radiation study on different memristor-based topological Non-Volatile Static Random Access Memory (NVSRAM). A Voltage ThrEshold Adaptive Memristor (VTEAM) model is considered for simulation analysis related to this work. In this paper, four different topologies, namely 3-Transistor 2-Memristor (3T2M) SRAM cell, 2-Transmission Gate 1-Memristor (2TG1M) SRAM cell, 1-Transistor 1-Memristor (1T1M) SRAM cell, and 4-Transistor 2-Memristor (4T2M) SRAM cell are investigated. A double-exponential current pulse is induced during a read operation and perturbation is observed due to irradiation. The memory cell retains its original state after radiation dose is removed. 4T2M SRAM topology is more reliable because its highest threshold current value is \(100\,{\upmu }\hbox {A}\), whereas 1T1M SRAM topology is less reliable with the lowest threshold current value of 5 nA.

Vorheriger Artikel Circuit-level simulation of resistive-switching random-access memory cross-point array based on a highly reliable compact model

Nächster Artikel Analytical modeling of gate-all-around junctionless transistor based biosensors for detection of neutral biomolecule species

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 102.000 Bücher
über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Finance + Banking
Management + Führung
Marketing + Vertrieb
Maschinenbau + Werkstoffe
Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 67.000 Bücher
über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Maschinenbau + Werkstoffe

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

über 67.000 Bücher
über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Finance + Banking
Management + Führung
Marketing + Vertrieb
Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Meena, Jagan Singh, et al.: Overview of Emerging Non-Volatile Memory Technologies. Nanoscale research letters (2014). https://doi.org/10.1186/1556-276X-9-526

Lu, Wei: Resistive Random Access Memory (RRAM): Materials and Devices. IEEE Workshop on Microelectronics & Electron Devices (WMED) (2013). https://doi.org/10.1109/WMED.2013.6544498

lelmini, Daniele: “Resistive Switching Memories based on Metal Oxides: Mechanisms, Reliability and Scaling”, Semiconductor Science & Technology, 31(6). https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/6/063002

Radwan, A.G., Fouda, M.E.: On the Mathematical Modeling of Memristor, Memcapacitor, and Meminductor, Studies in Systems, Decision, and Control. Springer International Publishing Switzerland (2015). https://doi.org/10.1007/978-3-319-17491-4_2

Mazumdar, Pinaki, et al.: “Memristor: Devices, Models, and Applications,” Proceedings of IEEE, 100(6), (June 2012). https://doi.org/10.1109/JPROC.2012.2190812

Kvatinsky, Shahar, Talisveyberg, Keren, Filter, Dimitri: “Models of Memristor for Spice Simulations,” IEEE 27th Convention of Electrical and Electronics Engineers, (2012), Israel

Ibrayev, Timur, et al.: On Design of Memristive Amplifier Circuits. Circuits and Systems 5, 265–273 (2014)CrossRef

Bahgat, A.T., Salama, K.N.: “Memristor- based Monostable Oscillator,” Arxiv (July 2012)

Mosad, A.G., et al.: “Improved memristor-based Relaxation Oscillator,” Microelectronics Journal. https://doi.org/10.1016/j.mejo.2013.04.005

10.

Abuelma’atti, Muhammad Taher, Zainualbideen, : A Memristor-based Wien bridge Sinusoidal/ Chaotic Oscillator. International Journal of Electrical Engineering Education 53(3), 280–288 (2016). https://doi.org/10.1177/0020720915622471 CrossRef

11.

Vishnu, S., Saji, Sincy Ann, Rohit, R., Ramakrishnan, V. N.: “Application of Memristor in Active Filters,” \(3^{rd}\) International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS-2016)

12.

Amdapurkar, Apoorva, et al.: “Design and Development of Memristor-based Combinational Circuits,” International Journal on Recent and Innovation Trends in Computing and Communication, 4(3), (March 2016)

13.

Priyanka, M. Micheal, Ravi, T.: “An Efficient Prompt Multiplexers using Memristors,” IEEE-WiSPNET 2016 Conference

14.

Chakraborty, Anindita, et al.: “Design of Memristor-based Up-Down Counter using Material Implication Logic,” International Conference on Advances in Computing, Communication, and Informatics, 2016, Jaipur, India

15.

Vujisic, Milos, et al.: “Simulated Effects on Proton and Ion Beam Irradiation on Titanium Dioxide Memristors,” IEEE Transactions on Nuclear Sciences, 57(4), (August 2010)

16.

Marjanovic, Nada S., et al.: “Simulated Exposure of Titanium Dioxide Memristor to Ion Beams,” Nuclear Technology and Radiation Protection, 25(2), (2010)

17.

Lazarevic, Djordje R., et al.: “Radiation Hardness of Indium Oxide Films in the Cooper-Pair Insulator State,” Nuclear Technology and Radiation Protection, 27(1), (2012)

18.

Sarwar, Syed Shakib, et al.: “Memristor-based non-volatile random access memory: Hybrid architecture for low power compact memory design,” IEEE Access (2013). https://doi.org/10.1109/ACCESS.2013.2259891

19.

Ho, Patrick W. C., et al.: “1-bit Non-volatile memory cell using memristor and transmission gates”, \(2^{nd}\) International Conference on Electronic Design (ICED), (2014)

20.

Yong – Xiao, Li, Jin-Fu: “Fault Modeling and Testing of 1T1R memristor memories,” IEEE \(33^{rd}\) VLSI Test Symposium (VTS) (2015)

21.

Saminathan, Veerappan, Paramasivam, Kuppuswamy: “Design and Analysis of Low Power Hybrid Memristor-CMOS based Distinct Binary Logic Nonvolatile SRAM Cell,” Circuits and Systems, (2016). https://doi.org/10.4236/cs.2016.73012

22.

Wang, Fan, Agarwal, Vishwani D.: “Single Event Upset: An Embedded Tutorial,” \(21^{st}\) VLSI Design Conference. https://doi.org/10.1109/VLSI.2008.28

Titel: Radiation effects on memristor-based non-volatile SRAM cells
verfasst von: H. M. Vijay
V. N. Ramakrishnan
Publikationsdatum: 08.11.2017
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Computational Electronics / Ausgabe 1/2018
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI: https://doi.org/10.1007/s10825-017-1080-x

Neuer Inhalt

Bildnachweise

VDI-Icon, Profil Icon, inhalt2, Springer Professional Modul/© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Nachhaltigkeitsaward Key Visual/© Cometis AG/Global ESG Monitor | Daniel Rupp | Generiert mit KI, Search Icon, Banner Hanser, Jonas Klose/© Pine Valley Capital GmbH, Carina Kießling von der Strategieberatung Roland Berger/© Monika Walther Fotografie | ATZ, Beijing Auto Show 2024: Deutsche Hersteller wollen angreifen./© EKH-Pictures / Generated with AI / Stock.adobe.com, Zeitschrift Wissensmanagement Cover, PatentFit-Logo/© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Zukunftswerkstatt Sales Excellence 2024/© AndreyPopov / Getty Images / iStock, 2023_Antrieb/© supervisuell, ATZ-Webinar: Prototypenfreie Entwicklung durch Offline- und Driver-in-the-Loop-HiL-Tests /© (c) VI-grade

Springer Professional

Abstract

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu Ihrer Lizenz zu erhalten.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Springer Professional "Technik"

Springer Professional "Wirtschaft"

Weitere Artikel der Ausgabe 1/2018

Responsivity calculation of group IV-based interband MQWIP

A comprehensive semi-analytical model of the polysilicon emitter contact in bipolar transistors

A novel high performance LDMOS transistor with high channel density

Passive intermodulation analysis of single contact junctions of wire mesh

Adsorption effect of and gas molecules on ZnSe nanotube devices: first principles analysis

Quantum Monte Carlo simulation of dissipative transport using Bohmian trajectories

Neuer Inhalt

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu Ihrer Lizenz zu erhalten.

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu Ihrer Lizenz zu erhalten.