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Erschienen in:
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2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

RDF Analysis of Small-Signal Equivalent Circuit Parameters in MOSFET Devices

verfasst von : L. Oniciuc, P. Andrei

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Verlag: Springer Vienna

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A perturbation technique is developed for the analysis of random doping induced fluctuations (RDF) of small-signal equivalent circuit parameters in semiconductor devices. This technique is based on the computation of the doping sensitivity functions of parameters of interest by using the admittance matrix parameters and is applied to the study of RDF of equivalent circuit parameters in a 40-nm channel length MOSFET. The presented technique can be easily extended to the analysis of RDF in other semiconductor devices such as SOI, HEMT, etc.

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Metadaten
Titel
RDF Analysis of Small-Signal Equivalent Circuit Parameters in MOSFET Devices
verfasst von
L. Oniciuc
P. Andrei
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_109

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