1985 | OriginalPaper | Buchkapitel
Richtlinien für das Parallelschalten von Leistungshalbleitern
verfasst von : J. Thoma, H. Pichler
Erschienen in: Mikroelektronik in Österreich
Verlag: Springer Vienna
Enthalten in: Professional Book Archive
Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by
Es gibt viele Gründe Schaltelemente parallel zu betreiben, gleichgültig ob diese sich auf einem gemeinsamen Chip befinden oder nicht. Oft tritt das Problem auf, daß ein Leitungshalbleiter in seinen Spezifikationen nicht den Anforderungen der Schaltung entspricht. Gesetzt den Fall, daß der Strom die begrenzende Größe darstellt, kann das Parallelschalten mehrerer Elemente Abhilfe schaffen. Als Ideenlieferant tritt dabei der MOSFET auf, der, als diskretes Bauelement gesehen, bereits eine Parallelschaltung einiger hundert Einzelzellen darstellt. Deshalb wird im folgenden entsprechend der verwendeten Nomenklatur immer der MOSFET als Beispiel herangezogen, da er sich am besten zu einer Parallelschaltung eignet. Die besprochenen Verfahren können jedoch sinngemäß auf jedes beliebige Leistungsbauelement angewendet werden. Im Vergleich zum Bipolartransistor /7/ oder Thyristor wirft der MOSFET weit weniger Probleme auf, was einer der Gründe ist, warum man ihn in der heutigen Form und Leistungsfähigkeit überhaupt kaufen kann. Dennoch stellt die Parallelschaltung kein triviales Problem dar. Es gibt eine Reihe von Unannehmlichkeiten die auftreten können. Um daher zu einer zuverlässig funktionierenden Schaltungsanordnung zu gelangen, müssen die Gründe für das Auftreten von Problemen und die Mittel für deren Beseitigung bekannt sein.