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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 5/2017

21.10.2016

RSM Base Study of the Effect of Argon Gas Flow Rate and Annealing Temperature on the [Bi]:[Te] Ratio and Thermoelectric Properties of Flexible Bi-Te Thin Film

verfasst von: Pilaipon Nuthongkum, Aparporn Sakulkalavek, Rachsak Sakdanuphab

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 5/2017

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Metadaten
Titel
RSM Base Study of the Effect of Argon Gas Flow Rate and Annealing Temperature on the [Bi]:[Te] Ratio and Thermoelectric Properties of Flexible Bi-Te Thin Film
verfasst von
Pilaipon Nuthongkum
Aparporn Sakulkalavek
Rachsak Sakdanuphab
Publikationsdatum
21.10.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 5/2017
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-5024-1

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