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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 2/2009

01.06.2009

Scaling MOSFETs to 10 nm: Coulomb effects, source starvation, and virtual source model

verfasst von: M. V. Fischetti, S. Jin, T.-W. Tang, P. Asbeck, Y. Taur, S. E. Laux, M. Rodwell, N. Sano

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 2/2009

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Metadaten
Titel
Scaling MOSFETs to 10 nm: Coulomb effects, source starvation, and virtual source model
verfasst von
M. V. Fischetti
S. Jin
T.-W. Tang
P. Asbeck
Y. Taur
S. E. Laux
M. Rodwell
N. Sano
Publikationsdatum
01.06.2009
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 2/2009
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-009-0277-z

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