nach oben

Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Erschienen in:

01.05.2003

Self-assembled germanium islands grown on (0 0 1) silicon substrates by low-pressure chemical vapor deposition

verfasst von: G. D. M. Dilliway, D. M. Bagnall, N. E. B. Cowern, C. Jeynes

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 5-7/2003

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config

KI-gestützte Suche

Aus

Vorheriger Artikel Realization of electroplating molds with thick positive SPR 220-7 photoresist

Nächster Artikel Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 102.000 Bücher
über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Finance + Banking
Management + Führung
Marketing + Vertrieb
Maschinenbau + Werkstoffe
Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

über 67.000 Bücher
über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Automobil + Motoren
Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Elektrotechnik + Elektronik
Energie + Nachhaltigkeit
Maschinenbau + Werkstoffe

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

über 67.000 Bücher
über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

Bauwesen + Immobilien
Business IT + Informatik
Finance + Banking
Management + Führung
Marketing + Vertrieb
Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Titel: Self-assembled germanium islands grown on (0 0 1) silicon substrates by low-pressure chemical vapor deposition
verfasst von: G. D. M. Dilliway
D. M. Bagnall
N. E. B. Cowern
C. Jeynes
Publikationsdatum: 01.05.2003
Verlag: Kluwer Academic Publishers
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 5-7/2003
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI: https://doi.org/10.1023/A:1023975928759

Springer Professional

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu Ihrer Lizenz zu erhalten.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Springer Professional "Technik"

Springer Professional "Wirtschaft"

Weitere Artikel der Ausgabe 5-7/2003

Electrical characterization of MIS capacitors fabricated from ECR-PECVD silicon oxide and silicon nitride bilayer films

Influence of irradiation temperature on electron-irradiated STI Si diodes

Correlating integrated circuit process-induced strain and defects against device yield and process control monitoring data

Realization of electroplating molds with thick positive SPR 220-7 photoresist

Tilted-wing-induced stress distribution in epitaxial lateral overgrown GaN

Polyaniline films deposited by anodic polymerization: Properties and applications to chemical sensing