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Erschienen in:

01.11.2023

Sensitization of ZnO Nanorods by AgInS₂ Colloidal Quantum Dots for Adsorption Gas Sensors with Light Activation

verfasst von: A. A. Ryabko, S. S. Nalimova, D. S. Mazing, O. A. Korepanov, A. M. Guketlov, O. A. Aleksandrova, A. I. Maximov, V. A. Moshnikov, Z. V. Shomakhov, A. N. Aleshin

Erschienen in: Technical Physics | Ausgabe 11/2023

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Abstract

a low-temperature technique for the formation of coatings based on ZnO nanorods decorated with colloidal AgInS₂ quantum dots is presented. It is shown that ZnO nanocrystals and colloidal AgInS₂ quantum dots with a shell of mercaptopropionic acid molecules form a hetero junction. Sensitization of ZnO nanorods with AgInS₂ colloidal quantum dots to visible irradiation provides a gas analytical response of the structure to isopropyl alcohol vapor at room temperature under blue LED illumination with a peak wavelength of 460 nm.

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V. A. Moshnikov, I. E. Gracheva, V. V. Kuznezov, A. I. Maximov, S. S. Karpova, A. A. Ponomareva. J. Non-Cryst. Solid., 356, 37 (2010). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2010.06.030CrossRef

S. S. Karpova, V. A. Moshnikov, S. V. Mjakin, E. S. Kolovangina. Semiconductors, 47 (3), 392 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063782613030123ADSCrossRef

S. S. Karpova, V. A. Moshnikov, A. I. Maksimov, S. V. Mjakin, N. E. Kazantseva. Semiconductors, 47, 1026 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063782613080095ADSCrossRef

L. K. Krasteva, D. T. Dimitrov, K. I. Papazova, N. K. Nikolaev, T. V. Peshkova, N. V. Kaneva, V. A. Moshnikov, I. E. Gracheva, S. S. Karpova. Semiconductors, 47 (4), 586 (2013). https://doi.org/10.1134/S106378261ADSCrossRef

D. T. Dimitrov, N. K. Nikolaev, K. I. Papazova, L. K. Krasteva, A. S. Bojinova, T. V. Peshkova, N. V. Kaneva, I. A. Pronin, I. A. Averin, N. D. Yakushova, A. A. Karmanov, A. T. Georgieva, V. A. Moshnikov. Appl. Surf. Sci., 392, 95 (2017). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.08.049ADSCrossRef

S. Mahajan, S. Jagtap. Appl. Mater. Today, 18, 100483 (2020). https://doi.org/10.1016/j.apmt.2019.100483

V. K. Tomer, R. Malik, A. Kailasam. ACS Omega, 2, 3658 (2017). https://doi.org/10.1021/acsomega.7b00479CrossRefPubMedPubMedCentral

C. Gautam, C. S. Tiwary, L. D. Machado, S. Jose, S. Ozden, S. Biradar, D. S. Galvao, R. K. Sonker, B. C. Yadav, R. Vajtaia, P. M. Ajayan. RSC Adv., 6, 87888 (2016). https://doi.org/10.1039/C6RA18833HADSCrossRef

F. Qu, Y. Yuan, R. Guarecuco, M. Yang. Small, 12, 3128 (2016). https://doi.org/10.1002/smll.201600422CrossRefPubMed

10.

F. Qu, Y. Yuan, M. Yang. Chem. Mater., 29, 969 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.6b03435CrossRef

11.

L. Zhu, C. Feng, F. Li, D. Zhang, C. Li, Y. Wang, Y. Lin, S. Ruan, Z. Chen. RSC Adv., 4, 61691 (2014). https://doi.org/10.1039/C4RA11010BADSCrossRef

12.

S. Hussain, T. Liu, M. Javed, N. Aslam, W. Zeng. Sens. Act. B, 239, 1243 (2017). https://doi.org/10.1016/j.snb.2016.09.128CrossRef

13.

Q. Nie, W. Zhang, L. Wang, Z. Guo, C. Li, J. Yao, M. Li, D. Wu, L. Zhou. Sens. Act. B, 270, 140 (2018). https://doi.org/10.1016/j.snb.2018.04.170CrossRef

14.

M. Zhang, H. C. Su, Y. Rheem, C. M. Hangarter, N. V. Myung. J. Phys. Chem. C, 116, 20067 (2012). https://doi.org/10.1021/jp305393cCrossRef

15.

D. H. Shin, J. S. Lee, J. Jun, S. G. Kim, J. Jang. ACS Appl. Mater. Interfac., 7, 1746 (2015). https://doi.org/10.1021/am507314tCrossRef

16.

S. Mao, G. Lub, J. Chen. J. Mater. Chem. A, 2, 5573 (2014). https://doi.org/10.1039/C3TA13823BCrossRef

17.

T. N. Ly, S. Park. Sci. Reports, 8, 18030 (2018). https://doi.org/10.1038/s41598-018-36468-zADSMathSciNetCrossRef

18.

Y. Guo, T. Wang, F. Chen, X. Sun, X. Li, Z. Yu, P. Wan, X. Chen. Nanoscale, 8, 12073 (2016). https://doi.org/10.1039/C6NR02540DADSCrossRefPubMed

19.

H. T. Hien, H. T. Giang, N. V. Hieu, T. Trung, C. V. Tuan. Sens. Act. B, 249, 348 (2017). https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.04.115CrossRef

20.

G. J. Choi, R. K. Mishra, J. S. Gwag. Mater. Lett., 264, 127385 (2020). https://doi.org/10.1016/j.matlet.2020.127385

21.

O. Faye, U. Eduok, J. A. Szpunar, A. C. Beye. Physica E, 117, 113794 (2020). https://doi.org/10.1016/j.physe.2019.113794

22.

J. Wang, S. Fan, Y. Xia, C. Yang, S. Komarneni. J. Hazard. Mater., 381, 120919 (2020). https://doi.org/10.1016/j.jhazmat.2019.120919

23.

Y. Gui, K. Tian, J. Liu, L. Yang, H. Zhang, Y. Wang. J. Hazard. Mater., 380, 120876 (2019). https://doi.org/10.1016/j.jhazmat.2019.120876

24.

H. Ma, L. Yu, X. Yuan, Y. Li, C. Li, M. Yin, X. Fan. J. Alloys Compounds, 782, 1121 (2019). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2018.12.180CrossRef

25.

M. Wang, Y. Zhu, D. Meng, K. Wang, C. Wang. Mater. Lett., 277, 128372 (2020). https://doi.org/10.1016/j.matlet.2020.12837

26.

A. A. Bobkov, D. S. Mazing, A. A. Ryabko, S. S. Nalimova, A. A. Semenova, A. I. Maksimov, E. A. Levkevich, V. A. Moshnikov. 2018 Proceed. IEEE Intern. Conf. Electr. Eng. Photon., EExPolytech., 219 (2018). https://doi.org/10.1109/EExPolytech.2018.8564407

27.

S. S. Nalimova, V. M. Kondratev, A. A. Ryabko, A. I. Maksimov, V. A. Moshnikov. J. Phys. Conf. Series, 1658, 012033 (2020). https://doi.org/10.1088/1742-6596/1658/1/012033

28.

Y.-T. Tsai, S.-J. Chang, L.-W. Ji, Y.-J. Hsiao, I.-T. Tang, H. -Y. Lu, Y. -L. Chu. ACS Omega, 3, 13798 (2018). https://doi.org/10.1021/acsomega.8b01882CrossRefPubMedPubMedCentral

29.

E. Espid, F. Taghipour. Sens. Actuators B, 241, 828 (2017). https://doi.org/10.1016/j.snb.2016.10.129CrossRef

30.

J. Jiang, L. Shi, T. Xie, D. Wang, Y. Lin. Sens. Actuators B, 254, 863 (2018). https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.07.197CrossRef

31.

A. A. Ryabko, S. S. Nalimova, A. I. Maximov, V. A. Moshnikov. Proceed. 2021 IEEE Conf. of Russ. Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering, ElConRus, 1180 (2021). https://doi.org/10.1109/ElConRus51938.2021.9396166

32.

J. Prades, R. Jimenez-Diaz, F. Hernandez-Ramirez, S. Barth, A. Cirera, A. Romano-Rodriguez, S. Mathur, J.R. Morante. Sens. Act. B, 140, 337 (2009). https://doi.org/10.1016/j.snb.2009.04.070CrossRef

33.

J. Li, D. Gu, Y. Yang, H. Du, X. Li. Front. Mater., 6, 158 (2019). https://doi.org/10.3389/fmats.2019.00158ADSCrossRef

34.

A. Chizhov, M. Rumyantseva, R. Vasiliev, D. Filatov, K. Drozdov, I. Krylov, A. Abakumov, A. Gaskov. Sens. Act. B, 205, 305 (2014). https://doi.org/10.1016/j.snb.2014.08.091CrossRef

35.

H. Li, J. Yoon, C. Lee, K. Lim, J. Yoon, J. Lee. Sens. Act. B, 255, 2963 (2018). https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.09.118CrossRef

36.

D. Zhang, G. Dong, Y. Cao, Y. Zhang. J. Colloid Interface Sci., 528, 184 (2018). https://doi.org/10.1016/j.jcis.2018.05.085ADSCrossRefPubMed

37.

R. Chen, J. Wang, Y. Xia, L. Xiang. Sens. Act. B, 255, 2538 (2017). https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.09.059CrossRef

38.

H. Wang, J. Bai, M. Dai, K. Liu, Y. Liu, L. Zhou, F. Liu, F. Liu, Y. Gao, X. Yan, L. Geyu. Sens. Act. B, 304, 127287 (2020). https://doi.org/10.1016/J.SNB.2019.127287

39.

X. Geng, J. You, J. Wang, C. Zhang. Mater. Chem. Phys., 191, 114 (2017). https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2017.01.046CrossRef

40.

J. Zhou, N. Xu, Z. L. Wang. Adv. Mater., 18, 2432 (2006). https://doi.org/10.1002/adma.200600200CrossRef

41.

S. Rackauskas, N. Barbero, C. Barolo, G. Viscardi. Nanomater., 7, 381 (2017). https://doi.org/10.3390/nano7110381CrossRef

42.

R. Castro, R. Paisco, M. Saraiva, J. Santos, D. Ribeiro. Spectrochim. Acta Part A: Molec. Biomolec. Spectroscopy, 267, 120592 (2022). https://doi.org/10.1016/j.saa.2021.120592

43.

P. Ganguly, S. Mathew, L. Clarizia, S. Kumar, A. Akande, S. J. Hinder, A. Breen, S. C. Pillai. ACS Omega, 5, 406 (2020). https://doi.org/10.1021/acsomega.9b02907CrossRefPubMed

44.

X. Zheng, Y. Mao, J. Wen, X. Fu, X. Liu. Nanomater., 9, 1567 (2019). https://doi.org/10.3390/nano9111567CrossRef

45.

A. A. Ryabko, A. I. Maximov, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, V. N. Verbitskii, V. S. Levitskii. Semiconductors, 54, 1496 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063782620110238ADSCrossRef

46.

A. Raevskaya, V. Lesnyak, D. Haubold, V. Dzhagan, O. Stroyuk, N. Gaponik, D. R. Zahn, A. Eychmuller. J. Phys. Chem. C, 121, 9032 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.7b00849CrossRef

47.

G. H. Carey, A. L. Abdelhady, Z. Ning, S. M. Thon, O. M. Bakr, E. H. Sargent. Chem. Rev., 115, 12732 (2015). https://doi.org/10.1021/acs.chemrev.5b00063CrossRefPubMed

48.

O. A. Korepanov, D. S. Mazing, O. A. Aleksandrova, V. A. Moshnikov, A. S. Komolov, E. F. Lazneva, D. A. Kirilenko. Phys. Solid State, 61 (12), 2326 (2019). https://doi.org/10.1134/S1063783419120217CrossRef

49.

O. A. Alexandrova, Yu. V. Balakshin, A. D. Bol’shakov, V. M. Kondratiev, O. A. Korepanov, D. S. Masing, A. I. Maksimov, E. V. Maraeva, V. A. Moshnikov, E. N. Muratova, A. V. Nazarov, S. S. Nalimova, V. A. Nikonova, N. V. Permyakov, Yu. S. Reutov, A. A. Ryabko, A. V. Startseva, A. A. Shemukhin, Nanochastitsy, nanosystemy i ikh primenenie. Formirovanie nanosystem dlya sensoriki i meditsiny (SPETU LETI“, SPb, 2021), p. 9-51 (in Russian).

50.

P.-T. Hsieh, Y.-C. Chen, K.-S. Kao, C.-M. Wan. App-l. Phys. A, 90, 317 (2008). https://doi.org/10.1007/s00339-007-4275-3ADSCrossRef

51.

S. S. Nalimova, A. A. Ryabko, A. I. Maximov, V. Moshnikov. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012128 (2020). https://doi.org/10.1088/1742-6596/1697/1/012128

52.

S. Zang, Y. Wang, W. Su, H. Zhu, G. Li, X. Zhang, Y. Liu. Phys. Status Solidi RRL, 10, 745 (2016). https://doi.org/10.1002/pssr.201600220CrossRef

53.

C. M. Chuang, P. R. Brown, V. Bulovic, M. G. Bawendi. Nat. Mater., 13, 796 (2014). https://doi.org/10.1038/NMAT3984ADSCrossRefPubMedPubMedCentral

54.

S. Peng, S. Zhang, S. G. Mhaisalkar, S. Ramakrishna. Phys. Chem. Chem. Phys., 14, 8523 (2012). https://doi.org/10.1039/C2CP40848ACrossRefPubMed

55.

Y. Yang, Y. Liu, B. Mao, B. Luo, K. Zhang, W. Wei, Z. Kang, W. Shi, S. Yuan. Catal. Lett., 149, 1800 (2019). https://doi.org/10.1007/s10562-019-02718-6CrossRef

56.

P.-T. Hsieh, Y.-C. Chen, K.-S. Kao, C.-M. Wang. App-l. Phys. A, 90, 317 (2008). https://doi.org/10.1007/s00339-007-4275ADSCrossRef

Titel: Sensitization of ZnO Nanorods by AgInS2 Colloidal Quantum Dots for Adsorption Gas Sensors with Light Activation
verfasst von: A. A. Ryabko
S. S. Nalimova
D. S. Mazing
O. A. Korepanov
A. M. Guketlov
O. A. Aleksandrova
A. I. Maximov
V. A. Moshnikov
Z. V. Shomakhov
A. N. Aleshin
Publikationsdatum: 01.11.2023
Verlag: Pleiades Publishing
Erschienen in: Technical Physics / Ausgabe 11/2023
Print ISSN: 1063-7842
Elektronische ISSN: 1090-6525
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784223900905

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